特許
J-GLOBAL ID：200903095925529202
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045926
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249682
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 GaP基板を用い、かつ、基板側を光取り出し面とした半導体発光装置であって、封止樹脂としてのエポキシ樹脂と、GaP基板と、の剥離が起こりにくく、経時変化による光取り出し効率の劣化が起こりにくい装置を提供する。【解決手段】 半導体発光素子と、エポキシ樹脂と、を備え、前記半導体発光素子は、互いに向き合う第1および第2の面と、端面と、を有し、光取り出し面となる前記第1の面および前記端面の全部または一部の表面に、高さ50nm以上700nm以下の複数の凸部が形成された第1導電型のGaP基板と、前記GaP基板の前記第2の面上に形成された活性層を含む発光層を有するものとして構成され、前記エポキシ樹脂は、前記半導体発光素子の前記GaP基板を覆い、前記波長λの光に対して透明で、前記GaP基板と、空気と、の間の屈折率を有するものとして構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子と、エポキシ樹脂と、を備え、前記半導体発光素子は、互いに向き合う第1および第2の面と、端面と、を有し、光取り出し面となる前記第1の面および前記端面の全部または一部の表面に、高さ50nm以上700nm以下の複数の凸部が形成された第1導電型のGaP基板と、前記GaP基板の前記第2の面上に形成された第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され、電流注入によって前記基板を透過する波長λの光を放射する活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型半導体層と、を有するものとして構成され、前記エポキシ樹脂は、前記半導体発光素子の前記GaP基板を覆い、前記波長λの光に対して透明で、前記GaP基板と、空気と、の間の屈折率を有するものとして構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (17件)：
5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA37
, 5F041CA76
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA18
, 5F041DA44
, 5F041DB03
, 5F041FF01
, 5F041FF11
