特許

J-GLOBAL ID：200903095927393669

多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 南 浩二 ,  渡▲なべ▼ 金雄 ,  岩本 正幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082104
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109638
出願日： 1988年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、大きな粒径を有する多結晶シリコン膜の積層体が得ることを目的とする。更に、その大きさを任意に制御することを目的とする。【構成】 本発明の多結晶シリコン膜の形成方法は、基板60上に、Pをドープしたアモルファスシリコン膜61及びノンドープのアモルファスシリコン膜62を積層形成し、これらを熱処理するものである。

請求項（抜粋）：

基板上に、リン(P)をドープしたアモルファスシリコン膜及びノンドープのアモルファスシリコン膜を積層形成し、これらを熱処理することを特徴とした多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-035016
  
• 特開昭57-045980
  
• 特開昭62-142369