特許

J-GLOBAL ID：200903095929505073

配線形成方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290493
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102098
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 Al系材料層のアフターコロージョンを防止するための有機ポリマー層のパッシベーション性を向上させる。【構成】 バリヤメタル4,Al-1%Si層5,反射防止膜6からなるAl系多層膜7を、通常の塩素系ガスを用い、レジスト・マスク8を介してエッチングする。続いて、CHF3 /CO(一酸化炭素)混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、ウェハの全面を有機ポリマー層9で被覆する。ポリマー形成用のガスにCOを添加することにより、有機ポリマー分子中にカルボニル基が導入され、化学的,物理的安定性が向上する他、重合も促進され、安定したパッシベーション性が発揮される。有機ポリマー層9を形成する前にレジスト・マスク8を除去しておけば、一層効果的である。

請求項（抜粋）：

基板上のアルミニウム系材料層をレジスト・マスクを介してエッチングすることによりアルミニウム系材料パターンを形成する工程と、フルオロカーボン系化合物と一酸化炭素とを含む混合ガスを用いてプラズマ処理を行うことにより基体の全面を有機ポリマー層で被覆する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3205