特許
J-GLOBAL ID：200903095931853860

ショットキーバリアダイオードを有する半導体装置およびその製造方法

発明者：
久保 俊次

久保 俊次 について

, 
末松 憲治

末松 憲治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330037
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163373
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 アノード電極形成用コンタクトホールの形成位置のずれによるリーク電流の増大を回避可能なショットキーバリアダイオードを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の主表面に形成されたn型不純物拡散層4bの表面に1対のp+ ガードリング層9bが形成される。ショートキーバリアダイオード形成領域の表面全面に高融点金属珪化物層10h,10iが形成される。高融点金属珪化物層10h,10iと電気的に接続されるように金属電極14h,14iが形成される。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記主表面に選択的に形成された素子分離領域と、前記素子分離領域に囲まれるショットキーバリアダイオード形成領域の表面全面に形成された高融点金属珪化物層と、前記高融点金属珪化物層直下に形成されたガードリング層と、前記主表面上に形成され、前記高融点金属珪化物層の一部表面に達するコンタクトホールを有する絶縁層と、前記コンタクトホール内に形成され、前記高融点金属珪化物層と電気的に接続される電極と、を備えた、ショットキーバリアダイオードを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06
FI (2件)：
H01L 29/48 G ,  H01L 27/06 102 E
引用特許：
審査官引用 (5件)
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