特許
J-GLOBAL ID：200903095933120887
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135830
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 逆回復特性を維持しつつ、アバランシェ耐圧および接触抵抗を改善したダイオード素子構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 低不純物濃度のn-基板1の一方の表面にアノードp層2がイオン注入と熱拡散とで選択的に形成される。アノードp層2が形成されずに露出されているn-表面3は、絶縁性膜4によって覆われている。選択的に形成された複数のアノードp層2は、アノード電極を構成する共通の電極5に電気的に接続される。目的の逆回復特性を得るのに必要な量の不純物イオンをアノードp層2に分散して注入する。このアノードp層2の総面積は従来のアノードp層形成面積より小さくなるので、各アノードp層2における不純物濃度が相対的に高くなり、この結果、アバランシェ耐圧が高く、接触抵抗が改善されることになる。
請求項（抜粋）：
低不純物濃度で第1種導電型の基板と、前記基板の一方の面に形成された高不純物濃度で第1種導電型の第1領域と、前記第1領域の面に形成された第1金属電極と、前記基板の前記第1領域と反対の面に選択的に複数形成された拡散深さを有する第2種導電型の第2領域と、前記基板の前記第2領域が形成されない面を覆うように形成された絶縁性膜と、前記第2領域の面に形成された第2金属電極と、を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/06
, H01L 29/91 D
