特許

J-GLOBAL ID：200903095937875335

電界効果トランジスタ

発明者： 小林 純一郎 ,  高桑 秀美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135291
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335343
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 信頼性及び歩留りの向上、寄生容量の低減化をはかる。【構成】 ゲート電極7上に空洞9を介して絶縁被膜10を施す。

請求項（抜粋）：

ゲート電極上に空洞を介して絶縁被覆が施されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 29/80 G ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-283852
  
• 特開平3-133158
  
• 特開平3-206624