不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み消去方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186421
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】書き込み消去速度、データ保持特性を劣化させることなくVthシフト量を増大させ、これにより高速読み出し,低電圧プログラム動作を可能とする。【解決手段】チャネル形成領域1aとゲート電極20との間のゲート絶縁膜6、ゲート絶縁膜内のトンネル絶縁膜10,電荷蓄積手段としてトンネル絶縁膜上で平面的または空間的に離散化された複数の小粒径導電体14を含む。各小粒径導電体14は、書き込み消去時において、電子が蓄積されている状態、ホールが蓄積されている状態、電子及びホールが共に蓄積されていない中性状態の何れもとり得る両極性トラップである。トンネル絶縁膜10は、少なくとも小粒径導電体に接する部分が窒化酸化シリコンからなる。また、ゲート電極20は、少なくとも前記ゲート絶縁膜上に接する部分がチャネル形成領域1aと同じ導電型の半導体材料からなる。

請求項（抜粋）：

メモリトランジスタのチャネル形成領域上に設けられたトンネル絶縁膜、トンネル絶縁膜を最下層に含むゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極、ゲート絶縁膜内の電荷蓄積手段としてトンネル絶縁膜上で平面的または空間的に離散化され周囲を絶縁膜により覆われた複数の小粒径導電体を含む不揮発性半導体記憶装置であって、上記複数の小粒径導電体は、上記メモリトランジスタの書き込み又は消去時において、電子が蓄積されている状態、ホールが蓄積されている状態、電子およびホールが共に蓄積されていない中性の状態の何れもとり得る両極性トラップであり、前記トンネル絶縁膜は、その少なくとも前記複数の小粒径導電体に接する部分が窒化酸化シリコンからなる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 621 Z , H01L 27/10 434

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