光センサ素子、これを用いた平面表示装置、光センサ素子の製造方法、平面表示装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301326
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140338
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】バックライトからの直接光によって光センサ素子が余分な電流を発生することを防止する。【解決手段】光センサ素子41のP型低濃度不純物領域136に対するバックライト4からの直接光が光センサ素子41のゲート電極156で遮光されるようにゲート電極156の形状を形成する。また、N型低濃度不純物領域137に対するバックライト4からの直接光が光センサ素子41のN型電極179によって遮光されるようにN型電極179の形状を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された半導体層に異なる濃度で不純物が注入された高濃度不純物領域および低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域を遮光可能な形状に形成された電極と、を有することを特徴とする光センサ素子。

IPC (5件)：

H01L27/146 , G02F1/1335 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L31/12

FI (5件)：

H01L27/14 C , G02F1/1335 500 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L31/12 E

Fターム (41件)：

2H091FA34Y , 2H091FD04 , 2H091GA13 , 2H091GA14 , 2H091LA03 , 2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JB64 , 2H092LA02 , 2H092PA09 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118AB10 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118CA07 , 4M118CA11 , 4M118CB06 , 4M118EA07 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB24 , 4M118FB27 , 4M118GA03 , 4M118GA08 , 4M118GB03 , 4M118GB08 , 4M118GB11 , 4M118GB17 , 4M118GB20 , 4M118GC08 , 4M118HA26 , 5F089BA10 , 5F089BB03 , 5F089BC02 , 5F089BC05 , 5F089CA06 , 5F089FA03 , 5F089GA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2959682号公報

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