特許
J-GLOBAL ID：200903095949021021
電子銃の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039053
公開番号（公開出願番号）：特開平6-251694
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 再現性よく均一な形状の電子銃を製造することができる電子銃の製造方法を提供する。【構成】 面方位(100)の単結晶シリコン基板表面に、マスク材を形成し、マスク材の開口部をエッチングして基板面を掘り下げる。そして、エッチングにより現れたシリコン面を異方性エッチングして第1の(111)面を露出する。その後、第1の(111)面を含む露出しているシリコン面に第1の絶縁膜を形成し、前記マスク材を除去し、露出したシリコン面をエッチングし、さらに異方性エッチングして第2の(111)面を露出する。以後、金属膜の成膜および電子銃直上部分の絶縁膜を除去する工程を有する電子銃の製造方法。
請求項（抜粋）：
面方位(100)の単結晶シリコン基板表面に、マスク材を形成する工程と、前記シリコン基板に形成したマスク材の開口部をエッチングする工程と、該エッチングにより現れたシリコン面を異方性エッチングして第1の(111)面を露出する工程と、該第1の(111)面を含む露出しているシリコン面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記マスク材を除去する工程と、前記マスク材を除去することにより露出したシリコン面をエッチングする工程と、前記シリコン基板を異方性エッチングして第2の(111)面を露出する工程と、該第2の(111)面を含む露出しているシリコン面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、前記第1の(111)面と第2の(111)面により形成される角の頂点部分を覆っている前記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜を除去する工程とを有することを特徴とする電子銃の製造方法。
IPC (2件)：
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