半導体レーザダイオード装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100582
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310814
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】小型でありながら、組立が容易で信頼性の高い半導体レーザダイオード装置を提供する。【構成】レーザ光を発振する光導波路部11を、チップの片側に寄せた半導体レーザダイオード素子1とする。【効果】コストダウンのためには、ウェーハから多数のチップが得られるよう、チップを小型化したいが、長さは光の共振器長であり、変更できない。光導波路部を中央に保ったままチップ幅を狭くすると、ボンディングの際に光導波路部の上にストレスが加わるようになり、素子の信頼性を悪化させる恐れがあった。チップの片側に光導波路部を寄せることにより、ボンディングのための面積をチップ上に確保しながら、チップを小型化することができ、安価かつ高信頼性の素子の製作が可能となる。

請求項（抜粋）：

光導波路部をチップの片側に寄せたことを特徴とする半導体レーザダイオード装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 21/60 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-098994
特開昭58-033885
特開昭63-148693

前のページに戻る