特許

J-GLOBAL ID：200903095959663536

半導体装置の製造方法

発明者： 塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 脇 篤夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129732
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299434
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 単純なプロセスにより安定な動作しきい値電圧を有するMOS型半導体装置を製造する方法を提供する。【構成】 素子分離領域を形成した半導体基板上に、酸化膜とポリシリコン層を形成し、ポリシリコン層にp型不純物、特にボロン、をイオン注入した後パターニングしてポリシリコンゲート電極を形成した後、所定の導電型の不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域あるいはLDD領域を形成し、その後、全面に反射防止膜を形成してから、パルスレーザを照射してポリシリコンゲート電極およびイオン注入した領域をともに活性化するようにする。LDD領域を形成した場合は、その後同じ導電型の不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域を形成し、別途、パルスレーザを照射してソース・ドレイン領域を活性化する。

請求項（抜粋）：

素子分離領域を形成した半導体基板上に、酸化膜とポリシリコン層を形成し、ポリシリコン層にp型不純物をイオン注入した後パターニングしてポリシリコンゲート電極を形成した後に所定の導電型の不純物をイオン注入する工程と反射防止膜を形成する工程とパルスレーザを照射して、ポリシリコンゲート電極およびイオン注入した領域を活性化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-050660
  
• 特開昭60-106174
  
• 特開平1-102966