特許

J-GLOBAL ID：200903095960064417

薄膜蒸着での使用および再使用のためスパッタターゲットを作る方法とスパッタ蒸着ターゲット

発明者： レイモンド ケイ、エフ、ラム ,  トニー シカ ,  チー - ファン ロー
出願人/特許権者： プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-056209
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256843
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子に薄膜を物理的蒸着する上で使用、かつ再使用するようスパッタターゲットを作り、かつ改修する方法を提供する。【解決手段】 薄膜として蒸着するソース材料(14、24)でターゲットベースシェル(12、22)を熱噴射技術によってコーティングする。物理的蒸着工程の間ソース材料(14、24)が侵食すると再度コーティングを付与することによってターゲット(10、20)を改修する。本発明の方法は従来のスパッタターゲット(20)並びに新規開発した中空のカソードマグネトロンスパッタターゲット(10)に対しても使用可能である。

請求項（抜粋）：

薄膜蒸着で使用するスパッタターゲットを作る方法において、(a)物理的な蒸着装置で使用するよう構成されたサイズと形状とを有するターゲットベースシェルを提供する段階と、(b)スパッタターゲットを形成するようターゲットベースシェルにコーティングを付与する段階であって、前記コーティングが薄膜蒸着のためのソース材料であって、前記コ-テイングが熱噴射技術によって付与される段階とを含むことを特徴とする薄膜蒸着で使用するスパッタターゲットを作る方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 4/12 ,  C23C 16/513

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 4/12 ,  C23C 16/513