特許
J-GLOBAL ID：200903095965436797
固体撮像素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087332
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291553
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 センサ部での蓄積電荷が少ない場合におけるセンサ部から垂直レジスタへの転送効率を向上させると共に、信号電荷量に対する信号のリニアリティを改善させる。【構成】 N型シリコン基板1上のP型ウェル領域2内にN型のセンサ部3と、N型領域及びP型領域からなるBCCDの垂直レジスタ4、並びにP型のチャンネル・ストッパ領域5が形成され、センサ部3表面にP型の正電荷蓄積領域6が形成され、P型ウェル領域2上にゲート絶縁膜7を介して例えば多結晶シリコン層による転送電極8が選択的に形成されたCCDイメージセンサにおいて、センサ部3中、垂直レジスタ4と反対側の領域3aの不純物濃度を他の領域3bよりも低くして構成する。
請求項（抜粋）：
オーバーフローバリアを形成する第1導電型の領域に、第2導電型の光電変換領域が複数の画素に対応して形成され、上記各光電変換領域の横方向に読出しゲート領域を介して第2導電型の電荷転送領域が形成された固体撮像素子において、上記光電変換領域中、上記電荷転送領域と反対側の領域の不純物濃度が他の領域よりも低くなっていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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