単結晶引上装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344174
公開番号（公開出願番号）：特開平9-183688
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】原料の融液面への投入位置を極力内ルツボから離れた位置とする。【解決手段】単結晶引上装置の主な構成は、気密容器内で半導体融液21を貯留する、互いに連通する外ルツボ11および内ルツボ12からなる二重ルツボ3と、気密容器の上部から垂下され、その下端開口5aから外ルツボ12と内ルツボ12の間の半導体融液21に粒状の原料8を投入可能に配設された原料供給管5とである。原料供給管5の内ルツボ12側の側壁の下端には、下端開口5aから排出する原料8を外ルツボ11の側壁付近の半導体融液21に投入させるための傾斜部13となっている。原料8の投入位置を、内ルツボ12から極力離れかつ外ルツボ11の側壁に極力近づけることにより、外ルツボ11を取り囲むように設けられたヒーターによる加熱により、この落下した原料8は迅速に融解し、また、原料8の投入に起因して発生した気泡は内ルツボ12内に混入しにくい。

請求項（抜粋）：

気密容器と、前記気密容器内で半導体融液を貯留する、互いに連通する外ルツボおよび内ルツボからなる二重ルツボと、前記気密容器の上部から垂下され、その下端開口から前記外ルツボと内ルツボとの間の半導体融液中に粒状の原料を投入可能に配設された原料供給管とを備えた単結晶引上装置において、前記原料供給管の互いに対向する一対の内側面には、前記原料が衝突してその落下速度を減速させるための邪魔板が互い違いに設けられ、また、前記原料供給管の前記内ルツボ側の下端には、前記下端開口から排出される原料を前記外ルツボの側壁付近の前記半導体融液に落下させるための傾斜部が設けられていることを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (4件)：

C30B 15/02 , C30B 15/12 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/02 , C30B 15/12 , C30B 29/06 502 A , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-255589
粒状物質の供給装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-246135 出願人：エチル・コーポレーシヨン
特開平2-243587

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