特許
J-GLOBAL ID：200903095967743212
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255230
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068874
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 厚さの異なる2種類以上のゲート絶縁膜を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面に形成された酸化シリコン膜9の上層に薄膜10を形成し、次いで、厚いゲート絶縁膜を形成する領域Aを覆ったフォトレジストパターン11をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Bの薄膜10および酸化シリコン膜9を順次除去した後、フォトレジストパターン11を除去する。続いて、界面活性剤が添加されたバッファードフッ酸液を用い、半導体基板1の主面を含む全体に対して洗浄処理を施した後、熱酸化処理を施すことによって厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板を熱酸化し、前記半導体基板の表面に第1絶縁膜を形成する工程、(b)前記第1絶縁膜上にシリコンを主成分とする第1薄膜を形成する工程、(c)前記半導体基板の第1領域をマスキングパターンで覆う工程、(d)前記マスキングパターンをマスクとして、前記半導体基板の第2領域の前記第1薄膜および前記第1絶縁膜を除去する工程、(e)前記マスキングパターンを除去した後、フッ酸を含む洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する工程、(f)前記半導体基板を熱酸化することにより、前記第1領域に第1膜厚の絶縁膜を形成し、前記第2領域に前記第1膜厚に比して相対的に薄い第2膜厚の絶縁膜を形成する工程、を含み、前記(f)工程において前記第1領域の前記第1薄膜は酸化され、前記第1膜厚の絶縁膜の一部となることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
5F048AA07
, 5F048AB01
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB06
, 5F048BB08
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BB16
, 5F048BD04
, 5F048BE03
, 5F048BF06
, 5F048BG14
, 5F048DA25
