半導体基板の熱処理方法及びそのための装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043684
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254545
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】半導体基板(半導体ウエハ)を加熱又は冷却する場合において、高精度に温度の制御を行うことができる半導体基板の熱処理方法及びそのための装置を提供する。【構成】半導体基板を加熱または冷却する熱処理方法において、半導体ウエハ12を長尺状の半導体基板支持ピン13aに載置する工程と、その半導体基板支持ピン13aを昇降させて加熱または冷却プレート部に接近又は離間させ、その半導体基板支持ピン13aの昇降速度を調整することにより、半導体ウエハ12の加熱または冷却温度を制御可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板を加熱または冷却する熱処理方法において、(a)半導体基板を長尺状の半導体基板支持ピンに載置する工程と、(b)前記半導体基板支持ピンを昇降させて加熱または冷却プレート部に接近又は離間させ、前記半導体基板支持ピンの昇降速度を調整することにより、前記半導体基板の加熱または冷却温度を制御可能にすることを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/30 566 , H01L 21/30 567

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