特許
J-GLOBAL ID：200903095974939319
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326328
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173225
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤボンディングに伴う問題を生じさせることなく、広い範囲に亘って連続的に発光し、しかも信頼性の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板の表面側に半導体層が積層されると共にp側電極8およびn側電極9が設けられる第1の発光素子チップ11と、発光波長の光に対して実質的に透明な基板の表面側に半導体層が積層されると共にn側電極およびp側電極が設けられ、該電極が設けられた側を前記第1の発光素子チップと逆向きにして配設される第2の発光素子チップ12とからなり、前記第1および第2の発光素子チップのn側電極もしくはp側電極の異なる側の電極同士が直接導電性材料により接着されている。
請求項（抜粋）：
基板の表面側に半導体層が積層されると共にn側電極およびp側電極が設けられる第1の発光素子チップと、発光波長の光に対して実質的に透明な基板の表面側に半導体層が積層されると共にn側電極およびp側電極が設けられ、該電極が設けられた側を前記第1の発光素子チップと逆向きにして配設される第2の発光素子チップとからなり、前記第1および第2の発光素子チップのn側電極もしくはp側電極の異なる側の電極同士が直接導電性材料により接着されてなる半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 A
