特許

J-GLOBAL ID：200903095979083420

半導体装置

発明者： 山岸 信久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158571
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223758
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 ボーダーレスコンタクトホールにより接続するようにしたときに誤短絡したり、耐圧不良等が発生しないようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上に多層金属配線3,8,14を行うようにした半導体装置において、金属配線8の下層の絶縁層の中間部分にN又はCを含有するSiN,SiON,SiC,SiCN等から成る難エッチング層20を設けたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に多層金属配線を行うようにした半導体装置において、金属配線の下層の絶縁層の中間部分にN又はCを含有するSiN,SiON,SiC,SiCN等から成る難エッチング層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/283 D ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 D