特許
J-GLOBAL ID：200903095990295383
光導波路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226179
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086688
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、外部変調器付分布帰還型半導体レーザの変調部のバンドギャップを変化させても、変調部の光導波部全体の平均屈折率の変化を抑制し、変調部端面で反射し、発光部へ戻る光の位相の変化を抑えることができる光導波路を提供することである。【構成】 本発明の光導波路は、圧電性を示す面方位の化合物半導体表面にエピタキシャル成長して形成された光導波路であって、光が伝搬する導波領域に、少なくとも1つ以上の、歪みを有する量子井戸を形成する第1の歪量子井戸層と、少なくとも1つ以上の、前記第1の歪量子井戸層よりも厚みが小さい量子井戸を形成する第2の歪量子井戸層とを含む。前記第1の歪量子井戸層と前記第2の歪量子井戸層とは、光軸と垂直の方向に積層されていてもよい。または、光軸方向に接合されていてもよい。
請求項（抜粋）：
圧電性を示す面方位の化合物半導体表面にエピタキシャル成長して形成された光導波路であって、光が伝搬する導波領域に、少なくとも1つ以上の、歪みを有する量子井戸を形成する第1の歪量子井戸層と、少なくとも1つ以上の、前記第1の歪量子井戸層よりも厚みが小さい量子井戸を形成する第2の歪量子井戸層とを含む光導波路。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02F 1/015
, H01S 3/103
