特許

J-GLOBAL ID：200903095991188475

軟金属導体およびその形成方法

発明者： ラジブ・ヴァサント・ジョシー ,  マヌ・ジャムナダース・テジワーニー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  間山 進也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-091887
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006768
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】化学的機械的研磨プロセスで研磨した後でほぼ擦り傷なしの表面が得られるような、その最上部表面の硬度が改善された軟金属導体を提供する。【解決手段】化学的機械的研磨ステップで研磨後にほぼ擦り傷なしの表面が得られるように、十分大きい粒子サイズを有する粒子から構成される最上部層を有する、半導体素子に使用するための軟金属導体78である。導電性軟金属構造の最上部層に200nm以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体素子が内部に形成された半導体層と、 平滑化研磨された表面を有し、少なくとも200nmのサイズの粒子を含んで構成される多粒子構造の軟金属導体と を含む半導体構造体。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/88 K ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/90 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067410   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-363024