特許
J-GLOBAL ID:200903095992467734
素子の製造方法及び製造装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日比谷 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-283443
公開番号(公開出願番号):特開2000-100797
出願日: 1998年09月18日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】【課題】 微細加工パターンをその場でリアルタイムに測定し、その測定値から微細加工状態を算出して所望の加工形状を形成する【解決手段】 初期条件を設定してエッチング加工に入り、所定時間経過後に、レーザー光源24からの光束をポーラライザ25で直線偏光にして基板Sに照射し、反射された楕円偏光をコンペンセータ26とアナライザ27を通してディテクタ28で検出し、その回転方位角からそのときの偏光状態を検出する。そして、このときの加工状態が目標値範囲内に入るように加工条件を変更して所望の素子を形成する。
請求項(抜粋):
光透過性又は光反射性を有する被エッチング物に、周期的パターンを選択的に任意の深さ及び幅にエッチングする素子の製造方法において、光源部から前記被エッチング物の周期的構造に所定の偏光状態の光束を照射する工程と、前記周期的構造からの反射光の偏光状態の変化を光検出部により検出する工程と、前記光源部及び前記光検出部を相対関係を保持したまま移動台を移動する工程と、前記被エッチング物上の基板の照射位置を検出手段により検出しエッチングをモニタする工程とを有することを特徴とする素子の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, B62D 57/00
, G02B 5/18
, H01L 21/302
, B29L 11:00
FI (4件):
H01L 21/302 E
, G02B 5/18
, B62D 57/00 K
, H01L 21/302
Fターム (21件):
2H049AA03
, 2H049AA04
, 2H049AA31
, 2H049AA37
, 2H049AA63
, 2H049BA02
, 2H049BC23
, 5F004BA04
, 5F004BB02
, 5F004BB13
, 5F004CA05
, 5F004CA08
, 5F004CB09
, 5F004CB10
, 5F004CB15
, 5F004DB00
, 5F004EA28
, 5F004EA33
, 5F004EA37
, 5F004EB06
, 5F004EB08
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