特許
J-GLOBAL ID：200903096000293221
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029449
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226677
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明の太陽電池の製造方法は、従来の太陽電池の製造方法よりも単純にすることによって、量産性を保持しつつ、高い光電流の実現とPN接合破壊の防止を行うことを目的とする。【構成】 一導電型の半導体基板の表面に他導電型の半導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上に表面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の表面電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板の表面に他導電型の半導体層を形成する工程と、該他導電型の半導体層上に表面電極を設ける工程と、上記他導電型の半導体層の表面電極部分以外の表層部分を除去する工程とを有することを特徴とした太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 H
