電気的消去可能な不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174586
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、例えばMNOS,MONOS等と呼ばれる電気的消去可能な不揮発性メモリセルを用いたメモリに関し、読出し回路を工夫することによって書換回数、寿命を延ばす。【構成】サンプルセルを備え、書込み状態のサンプルセルを流れる第1の電流と消去状態のサンプルセルを流れる第2の電流とに基づいてこれら第1及び第の電流の中間的な電流に対応するしきい値を求めて’0’,’1’を判定する。

請求項（抜粋）：

多数のメモリセル、該多数のメモリセルそれぞれへの書込み、消去の回数を代表する回数だけ書込み、消去されるサンプルセル、および書込み状態の前記サンプルセルに所定のゲート電圧を印加したときに該サンプルセルに流れる第1の電流と、消去状態の前記サンプルセルに所定のゲート電圧を印加したときに該サンプルセルに流れる第2の電流とに基づいて、前記メモリセルに所定のベース電圧を印加する読出し時に該メモリセルに流れる第3の電流の電流値に対応する信号値と対比して該メモリセルが書込み状態にあるか消去状態にあるかを弁別するための、前記第1の電流の電流値と前記第2の電流の電流値との中間的な電流値に対応するしきい値を出力するしきい値演算回路を備えたことを特徴とする電気的消去可能な不揮発性メモリ。

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