特許

J-GLOBAL ID：200903096008113028

多孔質絶縁膜形成材料及びそれを用いた多孔質絶縁膜

発明者： 阿出川 豊
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-091768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303777
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性に優れた多孔質絶縁膜形成用組成物を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される構造を有する低分子化合物又は下記一般式(I)で表される構造を繰り返し単位として有する樹脂{式(I)中、R0は同一でも異なっていてもよく、それぞれ、1〜4価の基を表す}、並びに下記(B-1)及び(B-2)のうちの少なくとも1種の成分を含有することを特徴とする多孔質絶縁膜形成用材料。(B-1)沸点又は分解点が250°C〜450°Cである化合物、(B-2)中空微粒子【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される構造を有する低分子化合物又は下記一般式(I)で表される構造を繰り返し単位として有する樹脂、並びに、下記(B-1)及び(B-2)のうちの少なくとも1種の成分を含有することを特徴とする多孔質絶縁膜形成用材料。 (B-1)沸点又は分解点が250°C〜450°Cである化合物、 (B-2)中空微粒子

IPC (1件)：

H01L21/312

FI (1件)：

H01L21/312 C

Fターム (5件)：

5F058AA02 ,  5F058AA03 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02