特許
J-GLOBAL ID：200903096008201407
半導体処理方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347565
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196318
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ(16)への材料の堆積およびエッチングを選択的に制御すること。【解決手段】 本発明は、シャワーヘッドアッセンブリ(18)とシャワーヘッド板アッセンブリを通して延びる複数の孔(15)を有するシャワーヘッド板アッセンブリを含む半導体処理装置である。このシャワーヘッド板アセンブリ(17)は外側領域(19)と内側領域(21)を有する。外側領域(19)は第1の電極(20)を形成し、内側領域(21)は第2の電極(22)を形成する。絶縁体(24)が第2の電極(22)と第1の電極(21)の間に配置される。第1の電極(20)と第2の電極(22)に関連する堆積およびエッチング処理が第1の電極(20)と第2の電極(22)への電力の流れを変えることによって、選択的に行なわれる。
請求項（抜粋）：
半導体処理装置であって、処理チャンバの外部から流体を通す第1のインレット導管を有する処理チャンバと、半導体基板ウエハを支持するために動作可能な、処理チャンバ内に設けられた基板支持体と、前記基板支持体から離間され、前記処理チャンバ内に設けられたシャワーヘッドアッセンブリと、前記シャワーヘッドアッセンブリは、プロセス流体を受けるために第1のインレット導管と結合された本体部材と、前記本体部材は、シャワーヘッド板アッセンブリを通して延びる複数の通路を有するシャワーヘッドアッセンブリを含み、それにより、第1のインレット導管から本体部材へ入る流体は、前記通路を通って出ていき、前記シャワーヘッド板アッセンブリは、第1の電極を形成する外側領域と第2の電極を形成する内側領域を有し、前記第1の電極と前記第2の電極間に設けられた絶縁体と、前記第1の電極に電気的に接続された第1の電源と、前記第2の電極に電気的に接続された第2の電源と、を有することを特徴とする半導体処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, C23C 16/455
H01L 21/205
, C23C 16/455
, H01L 21/302 C
