磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気再生装置と、磁気抵抗効果型磁気センサおよび磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261986
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069109
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 MR磁気センサにおける分解能の制約を改善する。【解決手段】磁束感知膜を有する面垂直通電型の第1および第2の磁気抵抗効果素子1および2が、互いの磁束感知膜が近接する側に位置するように非磁性中間ギャップ層3を介して積層する構成とする。そして、第1および第2の磁気抵抗効果素子の出力の差動出力を磁気センサ出力として取り出すように、第1および第2の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化特性が逆特性を有する構成とするか、外部回路構成において差動出力として取り出すものである。このようにして、分解能を決定するギャップ長を磁気抵抗効果素子の厚さによって制約されない構成として分解能の向上を図る。

請求項（抜粋）：

第1および第2の磁気抵抗効果素子が、非磁性中間ギャップ層を介して積層された磁気抵抗効果素子の積層構造部を有し、上記第1および第2の磁気抵抗効果素子による各出力の差動出力を磁気センサ出力として取り出すようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気センサ。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01L 43/12

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

Fターム (6件)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5D034AA02 , 5D034BA03 , 5D034BB01 , 5D034CA06

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