特許

J-GLOBAL ID：200903096011660200

半導体記憶装置

発明者： 田邉 哲也
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214059
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045568
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 クロック周波数よりも高い周波数で入出力される連続した複数のデータの内,任意の数のデータをマスクすることが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 SDRAM1は,メモリ部MEM,データ制御部3,コントロール部5から構成されている。第1の入出力データマスク制御信号DQM1および第2の入出力データマスク制御信号DQM2によって,コントロール部に属するデータマスク制御回路7は,出力データマスク制御信号DOUTM,第1の入力データマスク制御信号DINM1,第2の入力データマスク制御信号DINM2を生成する。メモリ部から読み出される連続したデータは,出力データマスク制御信号によってマスクされ,メモリ部へ書き込まれる連続したデータは,第1,2の入力データマスク制御信号によってマスクされる。

請求項（抜粋）：

所定のデータを記憶するメモリ部を備え;前記メモリ部に記憶された所定のデータをクロック周波数の整数倍の周波数で読み出すことが可能であるとともに,前記メモリ部に対して所定のデータをクロック周波数の整数倍の周波数で書き込むことが可能な半導体記憶装置において:複数の入出力データマスク制御信号を入力し,前記メモリ部から読み出されるデータをマスクするための出力データマスク制御信号と,前記メモリ部へ書き込まれるデータをマスクするための入力データマスク制御信号を生成するデータマスク制御回路と;前記出力データマスク制御信号を入力し,前記メモリ部から読み出される連続した複数個のデータの中の任意のデータをマスクすることが可能であるとともに,前記入力データマスク制御信号を入力し,前記メモリ部に書き込まれる連続した複数個のデータの中の任意のデータをマスクすることが可能なデータ制御回路と;を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。