特許
J-GLOBAL ID：200903096012210755
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033872
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232303
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】窒化ケイ素膜上のポリイミド膜に剥がれが発生する。【解決手段】シリコン基板1上に形成した窒化ケイ素膜3の濡れ性として純水を試薬とした接触角θを測定し、20°≦θ≦70°となる条件の下で感光性ポリアミド酸膜4Aを形成する。接触角θがθ<20°又はθ>70°の場合には、窒化ケイ素膜を例えばArガスを用いるスパッタ法により表面処理で改質する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に窒化ケイ素膜と感光性ポリアミド酸膜とを順次形成したのちこのポリアミド酸膜をパターニングしマスクを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記窒化ケイ素膜上に前記ポリアミド酸膜を形成する前に前記窒化ケイ素膜の濡れ性として純水を試薬とした接触角θを測定し、接触角θが所定の値外である場合は前記窒化ケイ素膜の表面を改質して接触角θを所定値内としたのち前記ポリアミド酸膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/312
, H01L 21/302
, H01L 21/318
, H01L 21/56
, H01L 21/66
H01L 21/312 N
, H01L 21/312 B
, H01L 21/312 D
, H01L 21/318 B
, H01L 21/56 R
, H01L 21/66 L
, H01L 21/302 Z
