特許

J-GLOBAL ID：200903096016878637

炭化ケイ素サイリスタ

発明者： エドモンド,ジョン・エイ ,  パルモア,ジョン・ダブリュー
出願人/特許権者： クリー・リサーチ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-506582
公開番号（公開出願番号）：特表平9-501270
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】SiCサイリスタは、基板と、アノードと、ドリフト領域と、ゲートとカソードとを備えている。基板、アノード、ドリフト領域、ゲート及びカソードは各々、炭化ケイ素から形成されるのか好ましい。基板は、第1の導電性タイプを有する炭化ケイ素から形成され、また、アノード又はカソードは、実施例においては応じて、基板に隣接して形成され、基板と同し導電性タイプを有する。炭化ケイ素のドリフト領域が、アノード又はカソードに隣接して形成され、アノード又はカソードと同じ第2の導電性タイプを有している。ゲートが、これも実施例に応じて、ドリフト領域又はカソードに隣接して形成され、第1の導電性タイプを有している。これも実施例に応じて、アノード又はカソードが、ゲート又はドリフト領域に隣接して形成され、第2の導電性タイプを有している。

請求項（抜粋）：

広い温度範囲にわたって動作可能なサイリスタ(10)であって、該サイリスタ(10)は、 アノード電極(12)と、 ゲート(14)と、 カソード電極(15)と、 前記ゲート(14)の表面、及び、前記電極の少なくとも1つの表面に設けられるオーミック接点(18、19、20)とを備え、 前記ゲート(14)及び前記電極(12、15)の中の少なくとも1つが、炭化ケイ素から形成されることを特徴とするサイリスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/744

FI (3件)：

H01L 29/74 F ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-043574
  
• 特開平3-181174
  
• 特公昭42-001220