特許

J-GLOBAL ID：200903096019861190

半導体圧力センサ

発明者： 赤井 澄夫 ,  高倉 信之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293050
公開番号（公開出願番号）：特開2001-116637
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 高感度化及び高耐圧化の実現する半導体圧力センサを提供すること。【解決手段】 n型シリコン基板1の一部を異方性エッチングして薄肉のダイヤフラム7を有する凹部を形成するとともに、前記凹部の外面にダイヤフラム7のたわみ量により圧力変化を検出し電気信号に変換する拡散抵抗を設けた圧力センサチップと、圧力を導入するための圧力導入孔10を有する台座と、を備え、前記凹部の内空間と圧力導入孔10が連通するように圧力センサチップと台座を接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記凹部の開口端17面積を0.5〜0.8mm2としている。

請求項（抜粋）：

n型シリコン基板の一部を異方性エッチングして薄肉のダイヤフラムを有する凹部を形成するとともに、前記凹部の外面にダイヤフラムのたわみ量により圧力変化を検出し電気信号に変換する拡散抵抗を設けた圧力センサチップと、圧力を導入するための圧力導入孔を有する台座と、を備え、前記凹部の内空間と圧力導入孔が連通するように圧力センサチップと台座を接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記凹部の開口端面積を0.5〜0.8mm2としたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

Fターム (28件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD07 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF38 ,  2F055FF43 ,  2F055GG14 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA02 ,  4M112CA05 ,  4M112CA07 ,  4M112CA11 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA12 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA13