特許

J-GLOBAL ID：200903096029265502

半導体集積回路

発明者： 丹野 雅明 ,  竹田 忠雄 ,  伴 弘司
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248335
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076140
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 遮蔽膜が除去されても、記憶素子に格納されている記憶情報が解読されてしまう虞れがないようにする。【解決手段】 導電性遮蔽膜2の任意の地点2aを給電配線13およびプルアップ抵抗素子6bを介して電源供給ライン16に接続する。任意の地点2bを給電配線11を介して接地ライン12に接続する。導電性遮蔽膜2の地点2aとプルアップ抵抗素子6bとの接続点の電位を反転出力型バッファ回路15への入力信号とする。バッファ回路15からの出力信号をメモリ制御回路20へ与える。メモリ制御回路20は、入力信号が高レベルから低レベルへ変化した場合(2aと2bとの間が非導通状態となった場合)に起動がかけられ、記憶素子21に格納されている記憶情報を書き換える。

請求項（抜粋）：

表面に導電性遮蔽膜を有する半導体集積回路において、前記導電性遮蔽膜の電位を所定電位とする給電手段と、前記導電性遮蔽膜の電位の変化に基づいてこの導電性遮蔽膜の損傷を検出する損傷検出手段と、この損傷検出手段によって前記導電性遮蔽膜の損傷が検出された場合、記憶素子に格納されている記憶情報を書き換える記憶情報書換手段とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

G06F 12/14 320 ,  G06F 9/06 550

FI (2件)：

G06F 12/14 320 D ,  G06F 9/06 550 Y

Fターム (6件)：

5B017AA03 ,  5B017BA08 ,  5B017BB00 ,  5B017CA11 ,  5B017CA14 ,  5B076FD02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204252   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-308950
  
• 特開昭63-308950