特許

J-GLOBAL ID：200903096031089452

直流昇降圧回路

発明者： 依田 和之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339841
公開番号（公開出願番号）：特開2002-153063
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 必要な昇圧比が高い場合でも、回路規模を小型化し、かつ高い変換効率を達成する。【解決手段】 降圧動作時、MOSFET3がオンの時、直流電源1→リアクトル10の巻き線10a→MOSFET3→直流電源1の経路、MOSFET3がオフの時、直流電源1→巻き線10a→ダイオード6→巻き線10b→ダイオード8→コンデンサ12→コンデンサ13→直流電源1の経路で電流が流れ、コンデンサ12,13を充電し、昇圧する。降圧動作時、MOSFET4がオンの時、直流電源16→MOSFET4→巻き線10b→ダイオード18→直流電源16の経路、MOSFET4がオフの時、巻き線10a→コンデンサ21→ダイオード7→巻き線10aの経路で電流が流れ、コンデンサ21を充電する。MOSFET3またはMOSFET4のオンオフ動作を一定の比率で繰り返す。

請求項（抜粋）：

半導体素子のスイッチング動作により、低電圧直流電源が使用される場合は該低電圧直流電源の出力電圧を昇圧し、高電圧直流電源が使用される場合は該高電圧直流電源の出力電圧を降圧する直流昇降圧回路において、磁気的に結合した第1と第2の巻き線を備えたリアクトルと、第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列接続された回路に第2のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第1の混合アームと、該第1の混合アームに並列接続された第1のコンデンサと、第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列接続された回路に第4のダイオードを直列接続して成る回路を備えた第2の混合アームと、第1の低電圧直流電源と、該第1の低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第1の負荷及び第2のコンデンサと、前記第1の低電圧直流電源と直列接続された第2の低電圧直流電源と、該低電圧直流電源と並列に接続された昇圧動作時の第2の負荷及び第3のコンデンサと、高電圧直流電源と並列に接続された降圧動作時の第3の負荷及び第4のコンデンサと、第1の混合アームの+側端子にアノードを接続すると共に前記第1と第2の低電圧直流電源の接続点にカソードを接続した第5のダイオードを備え、前記リアクトルの第1の巻き線の一方の端子は、前記高電圧直流電源の+側端子に接続し、他方の端子は前記第1の混合アーム内の前記第1のダイオードと第1のMOSFETとが並列に接続された回路と第2のダイオードとの接続点に接続し、前記リアクトルの第2の巻き線の一方の端子は、前記第2の混合アーム内の前記第3のダイオードと第2のMOSFETとが並列に接続された回路と第4のダイオードとの接続点に接続し、他方の端子は前記第1の混合アームの+側端子及び前記第5のダイオードのアノードに接続し、前記第2の混合アームの+側端子は前記第1の低電圧直流電源の+側端子に接続し、前記第1と第2の混合アームの-側端子と、前記高電圧直流電源の-側端子と、前記第2の低電圧直流電源の-側端子とを互いに接続したこと、を特徴とする直流昇降圧回路。

FI (2件)：

H02M 3/28 V ,  H02M 3/28 F

Fターム (17件)：

5H730AA14 ,  5H730AS04 ,  5H730AS05 ,  5H730AS08 ,  5H730AS17 ,  5H730BB43 ,  5H730BB57 ,  5H730CC11 ,  5H730CC16 ,  5H730DD04 ,  5H730EE13 ,  5H730EE19 ,  5H730EE65 ,  5H730EE76 ,  5H730EE80 ,  5H730FG01 ,  5H730FG24

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 昇圧型コンバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242099   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-325868