特許

J-GLOBAL ID：200903096031293785

半導体基板の製造方法

発明者： 水谷 匡希 ,  浮世 典孝 ,  西田 彰志 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-190416
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023948
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 多孔質層上に形成された半導体薄膜の半導体基板からの剥離を容易に制御し、剥離の工程におけるダメージの少ない高品質な半導体薄膜を得る方法を提供する。【解決手段】 半導体基板を回転しつつ陽極化成することにより多孔質層を形成し、次に、その多孔質層上に半導体薄膜を形成する。さらに、その半導体薄膜を前記半導体基板から剥離する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を回転しつつ陽極化成することにより多孔質層を形成する工程と、前記多孔質上に半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜を前記半導体基板から剥離する工程とからなることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  C25D 11/32 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/306 B ,  C25D 11/32 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 L

Fターム (5件)：

5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043DD02 ,  5F043DD14 ,  5F043GG01