特許

J-GLOBAL ID：200903096038682574

不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： 竹内 信善
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237738
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094687
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 一層のポリシリコン層で大きな面積のフローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 隣接する拡散孔17aから不純物がイオン注入され、その不純物の横方向拡散によってドレイン領域17が形成され、ドレイン領域17を覆うゲート酸化膜(熱酸化膜)19に容量性絶縁膜14で覆われたフローティングゲート15が接して、フローティングゲート15がコントロールゲート(ワード線)13によって自己整合的に形成され、フローティングゲート15がチャネル領域からソース/ドレイン領域に延在するように配置され、層間絶縁層12を介してアルミ配線(主ビット線)11が形成されており、このような製造工程によりメモリトランジスタM1 ,M2 ...がシリコン基板10に形成され、フローティングゲート・コントロールゲート間容量を大きく設定することにより、メモリトランジスタの実効印加電圧を大きく設定して、メモリセルの微細化や動作電圧低電圧化を図った不揮発性半導体メモリ装置である。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込み、消去可能な不揮発性半導体メモリ装置に於いて、メモリトランジスタのビット線となるドレイン領域、又はドレイン領域及びソース線となるソース領域が第一の拡散層と第二の拡散層で結合してなることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371