特許

J-GLOBAL ID：200903096040315554

半導体量子ドット素子の作製方法

発明者： 遠藤 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290370
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124441
出願日： 1998年10月13日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体量子ドット素子の作製方法に関し、キャリアが量子ドット部分を正常に通過するための手段を提供する。【解決手段】 3次元的にキャリアを狭い領域に閉じ込めた量子ドット7構造を結晶の自己組織化成長により作製したのち、アニールを施して量子ドット7に付随する量子井戸を消失させる。

請求項（抜粋）：

3次元的にキャリアを狭い領域に閉じ込めた量子ドット構造を結晶の自己組織化成長により作製したのち、アニールを施して前記量子ドットに付随する量子井戸を消失させることを特徴とする半導体量子ドット素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/34

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18 676

Fターム (22件)：

5F052AA11 ,  5F052DA03 ,  5F052DA05 ,  5F052DB01 ,  5F052EA02 ,  5F052EA11 ,  5F052FA16 ,  5F052FA21 ,  5F052GC04 ,  5F052JA10 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA24 ,  5F073CB04 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA23