特許
J-GLOBAL ID：200903096042990356
ベンゾ[cチオフェン構造を有する導電性高分子の合成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055019
公開番号（公開出願番号）：特開平5-255486
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 バンドギャップが小さく、可視光域で透明であるといった特長をもつポリベンゾ[c]チオフェンの合成に関して、ベンゾ[c]チオフェンより安定で、作業性のよい化合物を出発原料とし、かつ、光重合を利用したポリベンゾ[c]チオフェンの合成方法を提供することを目的としている。【構成】 1,3-ジヒドロベンゾ[c]チオフェン化合物を含む気相、液相または固相中に光を照射して合成する。
請求項（抜粋）：
一般式【化1】(式中、R1およびR2はそれぞれ独立に水素、炭化水素基、ハロゲン元素、シアノ基、カルボキシル基またはアルコキシル基を表す。)で示される1,3-ジヒドロベンゾ[c]チオフェン化合物を含む気相、液相又は固相中に光を照射して合成することを特徴とする【化2】(式中、R1およびR2は前記と同意義、nは重合度を示す数である。)で示されるベンゾ[c]チオフェン構造を有する導電性高分子の合成方法。
IPC (2件)：
C08G 61/12 NLJ
, H01B 1/12
