特許
J-GLOBAL ID：200903096052560589
透明導電膜上の金属電極層およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065650
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 安価で簡便に形成することができ、密着性に優れかつ配線抵抗の低い透明導電膜上の金属電極層を提供する。【構成】 透光性基板12の表面12a上に透明導電膜22がパターン形成され、さらにNi-P合金層23、Ni-Co-P合金層24、金属膜25がこの順に、無電解めっき法によって形成される。前記Ni-Co-P合金層24は、Ni-Co合金層であってもよく、また前記Ni-P合金層23およびNi-Co-P合金層24は、Ni-Co-B合金層であってもよい。透明導電膜22と金属膜25との間に形成される層によって、前記透明導電膜22、金属膜25間の密着性が向上し、金属膜25を厚膜化することが可能となり、配線抵抗を低減することができる。
請求項（抜粋）：
透光性基板にパターン形成された透明導電膜上に形成されるニッケル-リン合金層と、前記ニッケル-リン合金層上に形成されるニッケル-コバルト-リン合金層またはニッケル-コバルト合金層と、前記ニッケル-コバルト-リン合金層またはニッケル-コバルト合金層上に形成される金属層とを備えることを特徴とする透明導電膜上の金属電極層。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, C23C 18/52
, G02F 1/1343
