特許
J-GLOBAL ID:200903096052882020

インバータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 樺山 亨 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-128635
公開番号(公開出願番号):特開2003-324198
出願日: 2002年04月30日
公開日(公表日): 2003年11月14日
要約:
【要約】【課題】この発明は、集積化が困難であるという課題を解決しようとするものである。【解決手段】 この発明は、ソース電極層、半導体層及びドレイン電極層を順次に積層し、これらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立ててゲート絶縁層及びゲート電極層を順次に設けたものである。
請求項(抜粋):
スイッチング素子と、このスイッチング素子に電気的に接続されたロード素子とを有し、縦型電界効果トランジスタを前記スイッチング素子として用いたインバータにおいて、ソース電極層、半導体層及びドレイン電極層を順次に積層し、これらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立ててゲート絶縁層及びゲート電極層を順次に設けたことを特徴とするインバータ。
IPC (8件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 51/00
FI (9件):
H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 Z ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/28 ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 613 Z
Fターム (31件):
5F048AA01 ,  5F048AB04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BD00 ,  5F048BD07 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ02
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • インバータ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-057574   出願人:三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
  • 薄膜トランジスタ及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-237896   出願人:エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-236830   出願人:沖電気工業株式会社

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