特許
J-GLOBAL ID：200903096055258204

半導体装置とその製造方法

発明者：
山本 洋

山本 洋 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058094
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218948
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】位置合わせ等の余裕を必要としない構造の半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】ドレイン領域を囲む外壁9とゲート電極4とを、エッチングによって同時に形成し、半導体基板1のドレイン領域とソース領域に低濃度の不純物を拡散して低濃度拡散層5を形成する。更に、ゲート電極5と外壁9の壁面にTEOS等の絶縁物によるサイドウォール6,10を形成し、このサイドウォール6,10をマスクとして、高濃度不純物を拡散し、ソース電極7とドレイン電極8を形成する。サイドウォールの形成精度は、レジストパターンの位置合わせ精度よりも1桁小さいので、ドレイン電極8形成において、位置合わせのための余裕を殆ど見込む必要がなくなり、チップサイズの小型化が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に設けられた制御電極と前記制御電極の両側に設けられた第1電極領域及び第2電極領域とを備えた半導体装置であって、 前記第1電極領域及び第2電極領域の内の少なくとも一方の電極領域は、 その電極領域の周囲を囲み前記制御電極に接続するように該制御電極と一体して形成された外壁部と、 前記外壁部で囲まれた前記半導体基板の表面に低濃度の第2導電型の不純物を拡散させた低濃度拡散層と、 前記外壁部の内側の壁面に形成されたサイドウォールと、 前記サイドウォールの内側の前記低濃度拡散層に高濃度の第2導電型の不純物を拡散させた高濃度拡散層による電極とを、 有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (5件)：
H01L29/78 301S ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/04 R ,  H01L29/58 G
Fターム (42件)：
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104EE09 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F038AR01 ,  5F038AR13 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F140AA25 ,  5F140AA39 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF51 ,  5F140BF54 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK27 ,  5F140CB01 ,  5F140CB10 ,  5F140CE20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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