特許
J-GLOBAL ID：200903096055766943
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176905
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】接続側との位置合わせの誤差を自己整合的に合わせ込める、微細ピッチ配列に対応可能なバンプ電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Alパッド12は半導体基板上層の絶縁膜11上に形成され、内部の半導体素子に繋がり、外部との電気的接続領域を有する。Alパッド12上の周囲部を含み電気的接続領域の周りに1層以上のパッシベーション膜13が形成されている。Alパッド12及びその周辺のパッシベーション膜13の一部上にバリアメタル及び密着用の保護金属層を含む下地用金属層14が被覆されている。下地用金属層14上に設けられたバンプ電極15は、パッシベーション膜13のうちパッシベーション膜132の被覆形態が反映されており、1B-1B線断面の両端に比べて1C-1C線断面の両端が高く形成されている。
請求項（抜粋）：
内部の半導体素子に繋がり、外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された1層以上の絶縁膜と、前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された金属層と、前記金属層上に設けられたバンプ電極とを具備し、前記バンプ電極は異なる高さの周縁部を有し、第1方向の断面の両端に比べて第1方向に交差する第2方向の断面の両端が高く形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (4件)：
H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 603 E
, H01L 21/92 604 B
