半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100945
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】金属プラグを備えた半導体装置およびその製造方法において、金属プラグと密着層、絶縁層のエッチングやCMP研磨に起因する問題を無くする。【解決手段】コンタクトホール7内の密着層3上に埋め込まれたタングステン膜4をRIEをもちいてエッチングした後、密着層3と層間絶縁層2をCMPで研磨する。【効果】金属膜のタングステン膜のプラグロスとトレンチングを無くすることができ、さらにCMP研磨によるダスト、スクラッチ、ディッシング、エロージョンや重金属汚染を防止することができる。

請求項（抜粋）：

導電性基板と該導電性基板上に構成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に構成された開口部とを備えた半導体装置において、前記開口部の底面と側壁に構成された第1の導電層と、前記第1の導電層内に埋め込まれ、前記第1の絶縁層の表面より高く構成された第2の導電層と、前記第1の絶縁層と前記第2の導電層上に構成された第2の絶縁層上に構成された配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/28 301 R

Fターム (19件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033AA02 , 5F033AA29 , 5F033AA64 , 5F033AA66 , 5F033BA15 , 5F033BA25 , 5F033BA38

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