特許
J-GLOBAL ID：200903096056687176
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184582
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029328
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、従来のようなエミッタ用半導体層のパターニングの工程を不要にし、しかもデバイスの凹凸を低減して平坦化を図れるようにすることを目的とする。【構成】 n型のSi基板21上のp型のベース用Si層25に炭素及びAsをイオン注入し、Si層25中にn型のエミッタ用SiC層29を形成するものである。【効果】 従って、従来のようなSiC層29のパターニングが不要となり、工程を簡略化ができ、しかもSiC層29の表面がSi層25より突出せず、従来よりもデバイスの凹凸を低減することができ、平坦化を図ることが可能になる。
請求項（抜粋）：
コレクタとなる第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に堆積形成された第2導電型のベース用半導体層と、前記ベース用半導体層中に炭素及び第1導電型の不純物の導入により形成された前記ベース用半導体層よりもバンドギャップの広いエミッタ用半導体層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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