高オフゲート利得GTOサイリスタ2型

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206814
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】超高オフゲート利得のGTOサイリスタの実現。【構成】サイリスタが2トランジスタの合成であるのに対して、図1のような3トランジスタ構成に1つのベース抵抗4を入れたものである。【効果】オン特性はサイリスタ並みで、オフゲート利得は10000程度にも達する。動作は明解で製造も容易である。微信号にて大きな直流のオフもできるバイポーラースイッチ素子の実現である。

請求項（抜粋）：

インバーテッドダーリントン接続にあるトランジスタの初段トランジスタ2のベースが、制御トランジスタ8のコレクタに結合され、初段トランジスタ2のコレクタはベース抵抗4にて制御トランジスタ8のベースに結合されており、また制御トランジスタ8のエミッタは終段トランジスタ1につながるスイッチ素子。

IPC (3件)：

H03K 17/60 , H01L 29/74 , H03K 17/73

FI (2件)：

H03K 17/60 C , H03K 17/73 G

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