特許
J-GLOBAL ID：200903096065196029
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307866
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150171
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】リフレッシュ回数の過剰によるメモリの寿命低下を防止する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリトランジスタ110と基本的構造が同一で、メモリトランジスタよりも記憶データが消失されやすいように構成された検査用トランジスタ300と、該検査用トランジスタの記憶データが消失されたことを検出してメモリトランジスタと検査用トランジスタの記憶データをリフレッシュする手段と、を備えた構成。上記のような検査用トランジスタを設けることにより、メモリトランジスタの記憶データが消失する前に必ず検査用トランジスタの記憶データが消失するので、その時にリフレッシュを行なえば、メモリトランジスタの記憶データは消失することがなく、かつリフレッシュ回数が少なくなるので、リフレッシュ回数の過剰による破壊を防止でき、寿命を伸ばすことが出来る。
請求項（抜粋）：
複数のメモリトランジスタを有する半導体装置において、上記メモリトランジスタと基本的構造が同一で、上記メモリトランジスタよりも記憶データが消失されやすいように構成された、少なくとも1個の検査用トランジスタと、上記検査用トランジスタの記憶データが消失されたことを検出して上記メモリトランジスタおよび上記検査用トランジスタの記憶データをリフレッシュする手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 614
