特許

J-GLOBAL ID：200903096066355511

金属用研磨液及び研磨方法

発明者： 冨賀 敬充 ,  赤塚 朝彦
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-359620
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165566
出願日： 2005年12月13日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】絶縁膜、導体膜及びバリア金属膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、研磨後の被研磨面の平坦性が良好で、且つ、スクラッチの発生を低減できる研磨方法、及びそれに用いる金属用研磨液を提供する。【解決手段】半導体集積回路用基板の化学的機械的平坦化に用いる金属研磨液であって、下記成分(1)、(2)、(3)及び(4)を含有し、銅又は銅を含む合金からなる配線と、バリア金属膜とを研磨するために用いられることを特徴とする。(1)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が60〜150nmの範囲の粒子。(2)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が10〜50nmの範囲の粒子。(3)酸化剤。(4)アミノジカルボン酸。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体集積回路用基板の化学的機械的平坦化に用いる金属研磨液であって、下記成分(1)、(2)、(3)及び(4)を含有し、銅又は銅を含む合金からなる配線と、バリア金属膜とを研磨するために用いられることを特徴とする金属研磨液。 (1)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が60〜150nmの範囲の粒子。 (2)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が10〜50nmの範囲の粒子。 (3)酸化剤。 (4)アミノジカルボン酸。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H

Fターム (9件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058CB08 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308667   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-098094   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 特開昭49-122432号公報