特許

J-GLOBAL ID：200903096068107426

薄膜エレクトロルミネセンス素子

発明者： 草野 行弘 ,  内藤 壽夫 ,  鯉沼 秀臣
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン ,  鯉沼 秀臣
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046575
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222370
出願日： 1995年02月10日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【構成】 透明電極と背面電極との間に、少なくとも一側に絶縁層を積層した発光層を介在させてなる薄膜エレクトロルミネセンス素子において、前記絶縁層が大気圧下における非平衡低温プラズマ法により形成されたものであることを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。【効果】 本発明によれば、絶縁層を大気圧下における非平衡低温プラズマ法により堆積形成したことにより、該絶縁層の誘電率が高く、高耐圧性であるため、素子の高耐圧を維持しながら輝度の向上を達成できる薄膜エレクトロルミネセンス素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

透明電極と背面電極との間に、少なくとも一側に絶縁層を積層した発光層を介在させてなる薄膜エレクトロルミネセンス素子において、前記絶縁層が大気圧下における非平衡低温プラズマ法により形成されたものであることを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-267272
  
• 特開平4-235283
  
• 特開昭61-296680