特許

J-GLOBAL ID：200903096077604211

半導体発光装置

発明者： 堂本 千秋
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099411
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299684
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】半導体発光装置を長期にわたって使用する場合であっても、発光強度を高く維持することが可能な高性能の半導体発光装置を提供する。【解決手段】基板1の上面に、GaAs系化合物半導体の単結晶薄膜から成るn型クラッド層3、活性層4及びp型クラッド層5を積層してなる発光素子2を備え、該発光素子2に通電しながら活性層4内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子2を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子2の活性層4に、Znを不純物として1×1019個/cm3〜2×1020個/cm3の密度でドーピングする。また前記発光素子2の発光時、発光素子2を流れる電流の電流密度を100A/cm2以上に制御して用いる。

請求項（抜粋）：

基板の上面に、GaAs系化合物半導体の単結晶薄膜から成るn型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を積層してなる発光素子を備え、該発光素子に通電しながら活性層内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子の活性層に、Znを不純物として1×1019個/cm3〜2×1020個/cm3の密度でドーピングしたことを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (9件)：

5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84