半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078693
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】最高プロセス温度700°C以下で形成される薄膜トランジスタ(TFT)の特性・信頼性を向上せしめる方法を提供する。【構成】結晶性珪素膜を熱酸化させ、生じた酸化物によってTFTのゲイト絶縁膜等を形成する。このとき、基板等に熱的なダメージを与えないように、500〜700°Cの温度で熱酸化をおこない、酸化気体として熱的に励起・分解された酸素もしくは窒素酸化物(NOx 、0.5≦x≦2.5)を含有する反応性気体を用いる。2〜10気圧の高圧の窒素酸化物雰囲気中で加熱することによって酸化反応を促進させてもよい。このようにして得られた熱酸化膜をゲイト絶縁膜として用いることによってホットエレクトロン等の注入による劣化を防止し、素子の信頼性を高める。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、珪素を主成分とする被膜(以下、単に珪素膜という)を形成する第1の工程と、前記珪素膜を選択的にエッチングすることによって、島状の領域を形成する第2の工程と、反応性の酸素、オゾンもしくは窒素酸化物の少なくとも1つを含む雰囲気において400〜700°Cの温度に加熱することによって、前記島状領域を覆って、酸化珪素を主成分とする被膜(以下、単に酸化膜という)を形成する第3の工程と、前記酸化膜上にゲイト電極を形成する第4の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭63-052411
特開平4-326731
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331864 出願人：ソニー株式会社

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