特許
J-GLOBAL ID：200903096084283757
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045235
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246505
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子が形成されるボンド基板を構成するシリコン単結晶層に転位が発生しにくい貼り合わせSOI基板を提供する。【解決手段】 支持基板を構成するシリコン単結晶2の貼り合わせ面における結晶軸の方向とボンド基板を構成するシリコン単結晶層4の貼り合わせ面における結晶軸の方向を45度ずらすことによって、シリコン単結晶2に応力が加わり、シリコン単結晶層4に応力が伝達されても、シリコン単結晶層4に加わる応力を緩和することができる。
請求項（抜粋）：
支持基板を構成するシリコン単結晶上に絶縁膜を介してボンド基板を構成するシリコン単結晶層が形成された貼り合わせSOI基板を有する半導体集積回路装置であって、前記支持基板の貼り合わせ面における結晶軸の方向と前記ボンド基板の貼り合わせ面における結晶軸の方向がずれていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
