特許

J-GLOBAL ID：200903096087953168

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者： 橋元 伸晃
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999004785
公開番号（公開出願番号）：WO2000-014802
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月16日
要約：

【要約】半導体装置は、電極(22、32)を有して平面方向に並べられる複数の半導体素子(20、30)と、半導体素子(20、30)の電極(22、32)が接合されるボンディング部(14)と、ホンディング部(14)に接続されるランド部(16)と、を有する配線パターン(12)が形成された基板(10)と、ランド部(16)に設けられ、配線パターン(12)を介して電極(22、32)に接続される外部電極(40)と、を含む。

請求項（抜粋）：

電極を有して平面方向に並べられてフェースダウンボンディングされる複数の半導体素子と、 前記半導体素子の前記電極が接続されるボンディング部と、前記ボンディング部に電気的に接続しているランド部と、を有する配線パターンが形成された基板と、 前記ランド部に設けられる外部電極と、 を含む半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/32

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/32 E